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		Derechos	Preview	Fecha Public.	Título	Autor(es)	Tipo
	1	closedAccess		1992	X-ray diffraction determination of critical thickness of InAs and InP on GaAs grown by atomic layer molecular beam epitaxy	Mazuelas Esteban, Ángel José CSIC; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Tapfer, L.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC	comunicación de congreso
	2	closedAccess		mar-1995	InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substrates	Dotor-Castilla, María Luisa CSIC ORCID; Golmayo, Dolores CSIC; Calle Martín, Ana CSIC; Sendra, José Ramón CSIC; Anguita, José Virgilio CSIC; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC	artículo
	3	closedAccess		1993	A Study of the Defect Structure in GaAS1−xPx/GaAs AS x<0.25	Aragón, G.; Castro, M. J. de; Molina, Sergio I.; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; García, Rafael	comunicación de congreso
	4	closedAccess		feb-1994	Low temperature InP/Si technology: from Si substrate preparation to epitaxial growth	González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Dotor-Castilla, María Luisa CSIC ORCID; Golmayo, Dolores CSIC; Gómez, D.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC	artículo
	5	closedAccess		1991	In Situ Reflectance Anysotropy Monitoring of Antiphase Domains Evolution during Growth of GaAs/Si (001)	González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC	artículo
	6	closedAccess		1992	TEM Study of the Growth Modes in ALMBE GaAs Layers on Si	Vilà, A.; Comet, A.; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Ruterana, P.	póster de congreso
	7	closedAccess		1993	A study of the evolution process of antiphase boundaries in GaAs on Si	Molina, Sergio I.; Aragón, G.; García, Rafael; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC	artículo
	8	closedAccess		oct-1992	Initial stage of epitaxial growth at low temperature of GaAs and AlAs on Si by atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE) and MBE	González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Vilà, A.; Cornet, Albert CSIC; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID	artículo
	9	closedAccess		1992	Low Temperature GaAs/Si Technology: from Si Substrate Preparation to the Epitaxial Growth	González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC	artículo
	10	closedAccess		ene-1993	Experimental evidence of the structure of annihilation of antiphase boundaries in GaAs on Si	Molina, Sergio I.; Aragón, G.; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Ponce, F. A.; García, Rafael	artículo