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http://hdl.handle.net/10261/33823COMPARTIR / EXPORTAR:
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| Título: | TEM Study of the Growth Modes in ALMBE GaAs Layers on Si |
Autor: | Vilà, A.; Comet, A.; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Ruterana, P. | Fecha de publicación: | 1992 | Editor: | Materials Research Society | Citación: | MRS Proceedings 281: 339-344 (1992) | Resumen: | In this work, we have compared, by using Transmission Electron Microscopy (TEM) techniques, the initial stages of epitaxial growth of GaAs on Si (100) by conventional MBE and ALMBE, trying to find the conditions necessary to achieve 2D growth at the earliest stage of deposition. Our results show that flat layers with a good surface coverage can be obtained by reducing the GaAs ALMBE deposition temperature down to 200°C. | Descripción: | 6 páginas.-- Póster presentado al 1992 MRS Fall Meeting, Symposium D – Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications celebrado en San Francisco (USA/1993). | Versión del editor: | http://dx.doi.org/10.1557/PROC-281-339 | URI: | http://hdl.handle.net/10261/33823 | DOI: | 10.1557/PROC-281-339 | ISSN: | 0272-9172 |
| Aparece en las colecciones: | (IMN-CNM) Artículos |
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