Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item:
http://hdl.handle.net/10261/33830COMPARTIR / EXPORTAR:
 SHARE
 CORE
BASE
|
|
| Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL | DATACITE | |
| Título: | Initial stage of epitaxial growth at low temperature of GaAs and AlAs on Si by atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE) and MBE |
Autor: | González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Vilà, A.; Cornet, Albert CSIC; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID | Fecha de publicación: | oct-1992 | Editor: | Elsevier | Citación: | Journal of Crystal Growth 123(3-4): 385-392 (1992) | Resumen: | First stages of GaAs, AlAs and GaAs-on-AlAs growth on Si by atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE) and conventional MBE has been studied by in situ RHEED and Auger electron spectroscopy (AES) techniques and by high resolution electron microscopy (HREM) after growth. Our results allow us to assess the growth conditions necessary to achieve monolayer by monolayer growth of GaAs on Si. | Descripción: | 8 páginas, 6 figuras. | Versión del editor: | http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(92)90598-D | URI: | http://hdl.handle.net/10261/33830 | DOI: | 10.1016/0022-0248(92)90598-D | ISSN: | 0022-0248 |
| Aparece en las colecciones: | (IMN-CNM) Artículos |
Mostrar el registro completo
CORE Recommender
SCOPUSTM
Citations
10
checked on 30-abr-2024
WEB OF SCIENCETM
Citations
10
checked on 24-feb-2024
Page view(s)
331
checked on 12-may-2024
Google ScholarTM
Check
Altmetric
Altmetric
NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.