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Navegación por Autor Aragón, G.

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DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
closedAccessdic-1994A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; Pacheco, F. J.; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; García, Rafaelcomunicación de congreso
closedAccess1993A Study of the Defect Structure in GaAS1−xPx/GaAs AS x<0.25Aragón, G.; Castro, M. J. de; Molina, Sergio I.; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; García, Rafaelcomunicación de congreso
closedAccess1993A study of the evolution process of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; García, Rafael; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICartículo
closedAccessfeb-1997Advantages of thin interfaces in step-graded buffer structuresGonzález, David; Araújo, D.; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Aragón, G.; García, Rafaelcomunicación de congreso
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg30-abr-2002AFM and TEM study of the lateral composition modulation in etched and photo etched InxGa1−xP epitaxial layersEremenko, V.; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Vdovin, V.; Vázquez, Luis CSIC ORCID ; Aragón, G.; Herrera, Miriam; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICpóster de congreso
openAccesshttp___scitation.aip.org10.1063_1.pdf.jpg15-dic-1998Correlation between optical properties and barrier composition in InxGa1−xP/GaAs quantum wellsMartínez Pastor, Juan Pascual CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Aragón, G.; Guenaud, Ch.; Deleporte, E.artículo
closedAccessene-1993Experimental evidence of the structure of annihilation of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Ponce, F. A.; García, Rafaelartículo
openAccesshttp___scitation.aip.org=10.1063_1.pdf.jpg1996Relaxation behavior of undoped InxGa1−xP 0.5<x<0.7 grown on GaAs by atomic layer molecular‐beam epitaxyGonzález Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Aragón, G.; Castro, M. J. de; Dotor-Castilla, María Luisa CSIC ORCID; Dunstan, D. J.artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993Structural characterization of highly strained InAs N monolayer lasers and quantum well structures by X-ray diffraction and transmission electron microscopyMazuelas Esteban, Ángel José CSIC; Molina, Sergio I.; Aragón, G.; Meléndez Sánchez, Juan CSIC ORCID; Dotor-Castilla, María Luisa CSIC ORCID; Huertas, P.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1994TEM characterization of GaAs pin diodes at low temperatures on Si substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Anguita, José Virgilio CSIC; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; García, Rafaelcomunicación de congreso