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9-Nov-2005Room temperature emission at 1.6 µm from InGaAs quantum dots capped with GaAsSbRipalda, José María; Granados, Daniel; González, Yolanda; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.; García, Jorge M.Artículo
2003Size and critical thickness evolution during growth of stacked layers of InAs/InP(001) quantum wires studied by in situ stress measurementsFuster, David; González, María Ujué; González, Luisa; González, Yolanda; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.Comunicación de congreso
23-Aug-2004Size control of InAs∕InP(001) quantum wires by tailoring P∕As exchangeFuster, David; González, María Ujué; González, Luisa; González, Yolanda; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.; Martínez-Pastor, JuanArtículo
Apr-2003Size self-filtering effect in vertical stacks of InAs/InP self-assembled quantum wiresAlén, Benito; Martínez-Pastor, Juan; Fuster, David; García, Jorge M.; González, Luisa; Molina, Sergio I.; Ponce, Arturo; García, J.Artículo
29-May-2002Size-filtering effects by stacking InAs/InP (001) self-assembled quantum wires into multilayersAlén, Benito; Martínez-Pastor, Juan; González, Luisa; García, Jorge M.; Molina, Sergio I.; Ponce, Arturo; García García, RicardoArtículo
20-Jun-2004Stacking of InAs/InP(001) quantum wires studied by in situ stress measurements: Role of inhomogeneous stress fieldsFuster, David; González, María Ujué; González, Luisa; González, Yolanda; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.Artículo
27-Apr-2011Strain balanced quantum postsAlonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Briones Fernández-Pola, Fernando; Roldán, M. A.; Hernández-Saz, J.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Artículo
14-Dec-2010Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dotsTaboada, A. G.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Bozkurt, M.; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Rivera, Antonio; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; Ulloa, J. M.; García, Jorge M.; Molina, Sergio I.; Koenraad, P. M.Artículo
Jun-2011Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layerBeltrán, A. M.; Ben, Teresa; Sánchez, A. M.; Ripalda, José María; Taboada, A. G.; Molina, Sergio I.Artículo
1993Structural characterization of highly strained InAs N monolayer lasers and quantum well structures by X-ray diffraction and transmission electron microscopyMazuelas, A.; Molina, Sergio I.; Aragón, G.; Meléndez, J.; Dotor, María Luisa; Huertas, P.; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
2010Surface nanostructuring of TiO2 thin films by high energy ion irradiationRomero-Gómez, Pablo; Palmero, Alberto; Ben, Teresa; Lozano; J.G.; Molina, Sergio I.; González-Elipe, Agustín R.Artículo
2010Theoretical modelling of quaternary GaInAsSb/GaAs self-assembled quantum dotsLlorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Martín-Sánchez, Javier; García, Jorge M.; González, Yolanda; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Galindo, P. L.; Molina, Sergio I.Artículo
1-Jul-2010Transmission electron microscopy study of vertical quantum dots molecules grown by droplet epitaxyHernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Sales, D. L.; Alonso-González, Pablo; González, Yolanda; González, Luisa; Pizarro, J.; Galindo, P. L.; Molina, Sergio I.Artículo
10-Feb-2005Vertical order in stacked layers of self-assembled In(Ga)As quantum rings on GaAs (001)Granados, Daniel; García, Jorge M.; Ben, Teresa; Molina, Sergio I.Artículo

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