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DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
1openAccesshttp___scitation.aip.org_getpdf_servletdoi=10.1063_1.pdf.jpg1997Intermixing and shape changes during the formation of InAs self-assembled quantum dotsGarcía Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Schmidt, K. H.; Ngo, T.; Feng, J. L.; Lorke, Axel; Kotthaus, Jörg P.; Petroff, Pierre M.artículo
2closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1998Characterization of semiconductor heterostructures and quantum dots by friction force microscopyTamayo de Miguel, Francisco Javier CSIC ORCID; García García, Ricardo CSIC ORCIDartículo
3closedAccessmar-1995InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substratesDotor-Castilla, María Luisa CSIC ORCID; Golmayo, Dolores CSIC; Calle Martín, Ana CSIC; Sendra, José Ramón CSIC; Anguita, José Virgilio CSIC; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICartículo
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg14-dic-1999On the applicability of InGaP:Si and AlGaAs:Sn piezoresistive pressure sensors in the 2.5 GPa rangeLitwin-Staszewska, E.; Trzeciakowski, Witold A.; Dmowski, Lesław H.; Piotrzkowski, Ryszard; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Zytkiewicz, Z. R.artículo
5openAccessApplPhysLett_69_1166.pdf.jpg1996Growth temperature dependence of long‐range alloy order and magnetic properties of epitaxial FexPt1−x (x≂0.5) filmsFarrow, R. F. C.; Cebollada, Alfonso CSIC ORCIDartículo
6closedAccessfeb-1994Low temperature InP/Si technology: from Si substrate preparation to epitaxial growthGonzález Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; Dotor-Castilla, María Luisa CSIC ORCID; Golmayo, Dolores CSIC; Gómez, D.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICartículo
7closedAccess1-jun-1990Atomic layer molecular beam epitaxy of InAs/A1As heterostructuresVázquez López, Manuel CSIC ORCID; Silveira, Juan Pedro CSIC; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Pérez, Mar CSIC ORCID; Armelles Reig, Gaspar CSIC ORCID; Miguel, José Luis de CSIC; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICartículo
8closedAccessago-1993Critical thickness determination of InAs, InP and GaP on GaAs by X-ray interference effect and transmission electron microscopyMazuelas Esteban, Ángel José CSIC; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Ponce, F. A.; Tapfer, L.; Briones Fernández-Pola, Fernando CSICcomunicación de congreso
9closedAccess2-dic-1996Comparison of the crystalline quality of step-graded and continuously graded InGaAs buffer layersKidd, Petra Susan CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; García, Rafael; González, David; Goodhew, P. J.artículo
10closedAccessdic-1994A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; Pacheco, F. J.; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID ; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; García, Rafaelcomunicación de congreso

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