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1openAccessElectrical characterization of TiN.pdf.jpg7-nov-2017Electrical characterization of TiN/Ti/HfO2/W resistive switching devicesPoblador, Samuel CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Mallol, M. M.; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID comunicación de congreso
2openAccessBlistering of ALD.pdf.jpg28-sep-2015Blistering of ALD Al2O3 films in Al-Al2O3-Si structuresCampabadal, Francesca CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Beldarrain, O.; Duch, M.; Zabala, Miguel; González, M. B.póster de congreso
3openAccessAssessment of resistive switching characteristics on different.pdf.jpg11-jun-2018Assessment of resistive switching characteristics on different HfO2/Al2O3 dielectric stacksMaestro, Marcos; Poblador, Samuel CSIC ORCID ; Zabala, Miguel; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID póster de congreso
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg8-feb-2017Advanced electrical characterization of atomic layer deposited Al2O3 MIS-based structuresGarcía, Héctor; Castán, H.; Dueñas, S.; González, M. B.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Campabadal, Francesca CSIC ORCID comunicación de congreso
5closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgsep-2018Electrical Characterization of Defects Created by γ-Radiation in HfO2-Based MIS Structures for RRAM ApplicationsGarcía, Héctor; González, M. B.; Mallol, M. M.; Castán, H.; Dueñas, S.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Sambuco Salomone, L.; Faigón, A.artículo
6openAccess19-sep-2011Ultra-thin ALD layers of HfO2 for silicon micromachiningDuch, M.; Gerbolés, Marta; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Beldarrain, O.; Zabala, Miguel; Campabadal, Francesca CSIC ORCID póster de congreso
7openAccessoct-2017Electrical characterization of defects created by ¿-radiation in HfO2-based MIS structuresGarcía, Héctor; Castán, H.; Dueñas, S.; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Sambuco Salomone, L.; Faigón, A.póster de congreso
8openAccessExploring the Multilevel Capabiblity of TIN.pdf.jpg27-jun-2016Exploring the Multilevel Capabiblity of TIN/Ti/HfO2/W RRAM Devices by Pulse ProgrammingGonzález, M. B.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Calvo Angos, José; Zabala, Miguel; Campabadal, Francesca CSIC ORCID comunicación de congreso
9closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2009Patterning of ALD HfO2 layers on siliconAndreu, Robert; Sanchez, Javier; Sanchez, Ana; Zabala, Miguel; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; Campabadal, Francesca CSIC ORCID artículo
10closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgago-2016Investigation of Filamentary Current Fluctuations Features in the High-Resistance State of Ni/HfO2-Based RRAMGonzález, M. B.; Martín-Martínez, Javier; Maestro, Marcos; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Nafría, Montserrat; Campabadal, Francesca CSIC ORCID artículo

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