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1closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg12-dic-2001Ion beam synthesis of n-type doped SiC layersSerre, Christophe; Panknin, D.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID artículo
2closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg16-oct-2000Structural Characterization of Ion Beam Synthesysed Polycristalline SiC on SiO2Serre, Christophe; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID comunicación de congreso
3closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgene-2001Structural and electrical characterization of ion beam synthesized and n-doped SiC layersSerre, Christophe; Panknin, D.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID artículo
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg5-jun-2001Ion Beam synthesis of n-type doped SiC layersSerre, Christophe; Panknin, D.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID comunicación de congreso
5closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgmay-2000Epitaxial growth of β-SiC on ion-beam synthesized β-SiC: Structural characterizationRomano-Rodríguez, Alberto; Pérez Rodríguez, Alejandro; Serre, Christophe; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID artículo
6openAccessWO0172104A1.pdf.jpg4-oct-2001Method for the production of silicon carbide (SIC) layers by means of ionic implantion of carbon and anneals.Pérez Rodríguez, Alejandro; Serre, Christophe; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID patente

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