Method for the production of silicon carbide (SIC) layers by means of ionic implantion of carbon and anneals.

Abstract

[EN]The invention relates to the use of a combination of ionic implantations of C<+> and conventional anneals to produce complex SiC-based multilayer structures. This combination of techniques, which is well known in Si technology, provides great versatility in the structure of the synthesized layers (amorphous, polycrystalline or crystalline structure with crystalline orientation control; multilayers, buried layers or layers on insulating material) and makes it possible to obtain layers with very low levels of residual stress and with surfaces and interfaces having very low roughness, which characterized by the absence of cavities (unlike other techniques such as CVD or MBE), the latter features being extremely important for viability and reliability of synthesized multilayer structures in various applications, for instance, in MicroElectroMechanical (MEMS) devices. [ES]La invención se refiere al uso de una combinación de implantes iónica de C <+> y recuece convencional para producir estructuras complejas de múltiples capas de SiC basado. Esta combinación de técnicas, que es bien conocido en la tecnología del silicio, ofrece una gran versatilidad en la estructura de las capas sintetizadas (estructura amorfa, policristalina o cristalino con el control de la orientación cristalina; multicapas, capas enterrados o capas de materiales aislantes) y permite obtener capas con niveles muy bajos de la tensión residual y con superficies e interfaces con la rugosidad muy baja, que se caracteriza por la ausencia de cavidades (a diferencia de otras técnicas, tales como enfermedades cardiovasculares o MBE), las características de este último muy importante para la viabilidad y fiabilidad de la síntesis de múltiples capas estructuras en diversas aplicaciones, por ejemplo, en microelectromecánicos (MEMS).