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1closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg8-feb-2017Ni/HfO2/Si resistive switching structures: A device level and nanoscale analysis with CAFMClaramunt, S.; Wu, Q.; Maestro, Marcos; Porti, M.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Martín-Martínez, Javier; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Nafría, Montserratpóster de congreso
2openAccessElectrical characterization and resistive switching behavior.pdf.jpg14-nov-2018Electrical characterization and resistive switching behavior of HfO2/Al2O3 multilayer stacksMaestro, Marcos; Poblador, Samuel CSIC ORCID ; Zabala, Miguel; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID póster de congreso
3openAccessPhysical degradation.pdf.jpg14-nov-2018Physical characterization of filamentary structures in TiN/Ti/HfO2/W memristor devicesPoblador, Samuel CSIC ORCID ; Maestro, Marcos; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID póster de congreso
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgago-2016Investigation of Filamentary Current Fluctuations Features in the High-Resistance State of Ni/HfO2-Based RRAMGonzález, M. B.; Martín-Martínez, Javier; Maestro, Marcos; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Nafría, Montserrat; Campabadal, Francesca CSIC ORCID artículo
5openAccessAssessment of resistive switching characteristics on different.pdf.jpg11-jun-2018Assessment of resistive switching characteristics on different HfO2/Al2O3 dielectric stacksMaestro, Marcos; Poblador, Samuel CSIC ORCID ; Zabala, Miguel; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID póster de congreso

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