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Campabadal, Francesca

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Perfil

Firma en Digital.CSIC (*)
Campabadal, Francesca
 
Centro o Instituto
CSIC - Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM)
 
Categoría Profesional
Profesora de Investigación
 
Especialización
Silicon technology, electronic devices
 
Email
francesca.campabadal@cnm.es
 
ORCID
 
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Publications

Resultados 1-20 de 50.

DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
1openAccessManuscript_#SSE-D-11-00531_revised_version_with_all_changes_accepted_vfinal.pdf.jpg20132 MeV electron irradiation effects on the electrical characteristics of metal-oxide-silicon capacitors with atomic layer deposited Al<inf>2</inf>O <inf>3</inf>, HfO<inf>2</inf> and nanolaminated dielectricsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Ohyama, H.; Takakura, K.; Tsunoda, I.; Zabala, Miguel; Beldarrain, O.; González, M. B.; García, H.; Castán, H.; Gómez, A.; Dueñas, S.artículo
2openAccessMR-D-13-00242R1-2_pagines_rellevants.pdf.jpg20132 MeV electron irradiation effects on the electrical characteristics of MOS capacitors with ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> dielectrics of different thicknessRafí, J. M. CSIC ORCID ; González, M. B.; Takakura, K.; Tsunoda, I.; Yoneoka, M.; Beldarrain, O.; Zabala, Miguel; Campabadal, Francesca CSIC ORCID artículo
3openAccesssse_mpedro.pdf.jpg2019A flexible characterization methodology of RRAM: Application to the modeling of the conductivity changes as synaptic weight updatesPedro, M.; Martín-Martínez, Javier; Rodríguez, R.; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Nafría, Montserratartículo
4openAccessme_gonzalez-cordero.pdf.jpg2019A new technique to analyze RTN signals in resistive memoriesGonzález-Cordero, G.; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Jiménez-Molinos, Francisco; Roldán, J.B.artículo
5openAccessme_mpedro.pdf.jpg2019An unsupervised and probabilistic approach to Pavlov's dog experiment with OxRAM devicesPedro, M.; Martín-Martínez, Javier; Rodríguez, R.; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Nafría, Montserratartículo
6openAccesssse-gonzalez-cordero.pdf.jpg2019Analysis of resistive switching processes in TiN/Ti/HfO ⁠2/W devices to mimic electronic synapses in neuromorphic circuitsGonzález-Cordero, G.; Pedro, M.; Martín-Martínez, Javier; González, M. B.; Jiménez-Molinos, Francisco; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Nafría, N.; Roldán, J.B.artículo
7openAccessTDMR_JordiMuñoz.pdf.jpg2019Assessing the correlation between location and size of catastrophic breakdown events in high-k mim capacitorsMuñoz-Gorriz, J.; Blachier, D.; Reimbold, G.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Sune, J.; Monaghan, S.; Cherkaoui, K.; Hurley, P.K.; Miranda, E.artículo
8openAccess1-ago-2023Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO<inf>2</inf>-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode modelSalvador, E.; Gonzalez Bargallo, Mireia; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Martin-Martinez, Javier; Rodriguez, Rosana Paula; Miranda, Enrique A.artículo
9closedAccess28-feb-2007The ATLAS semiconductor tracker end-cap moduleFleta, Celeste CSIC ORCID ; Martí García, Salvador; Lacasta Llácer, Carlos CSIC ORCID ; Fuster, Juan CSIC ORCID; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; García García, Carmen CSIC ORCID; Stugu, Bjarne; Mellado, Bruce; Bernabeu Verdú, José CSIC ORCID; García Navarro, José Enrique CSIC ORCID; Ullán Comes, Miguel ; González González, Francisco; González Sevilla, Sergio CSIC ORCID; Modesto, Pablo; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Llosá, Gabriela CSIC ORCID; Lozano Fantoba, Manuel CSIC ORCID ; Costa, María José CSIC ORCID; Escobar, Carlos CSIC ORCID ; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Rodríguez Oliete, Rosario; Sánchez Martínez, Javier CSIC ORCID; Strachko, V.; Civera, José Vicente CSIC; Miñano, Mercedes CSIC ORCID; Oye, O. K.; Sospedra, Luis CSICartículo
10closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg15-jun-1992Carrier transport and storage in Si3N4 for metal-nitride-oxide-semiconductor memory applicationsMartín, Ferran; Aymerich, Xavier; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID artículo
11closedAccess24-may-2007Characterisation of p-type detectors for the future Super-LHCLacasta Llácer, Carlos CSIC ORCID ; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Fleta, Celeste CSIC ORCID ; García García, Carmen CSIC ORCID; Lozano Fantoba, Manuel CSIC ORCID ; Martí García, Salvador; Miñano, Mercedes CSIC ORCID; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; Ullán Comes, Miguel artículo
12closedAccess4-feb-2007Characterization of edgeless detectors fabricated by dry etching processPellegrini, Giulio CSIC ORCID; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Lozano Fantoba, Manuel CSIC ORCID ; Martí García, Salvador; Miñano, Mercedes CSIC ORCID; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; Ullán Comes, Miguel artículo
13closedAccess30-ago-2007Characterization of irradiated detectors fabricated on p-type silicon substrates for super-LHCMiñano, Mercedes CSIC ORCID; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Escobar, Carlos CSIC ORCID ; García García, Carmen CSIC ORCID; González Sevilla, Sergio CSIC ORCID; Lacasta Llácer, Carlos CSIC ORCID ; Lozano Fantoba, Manuel CSIC ORCID ; Martí García, Salvador; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; Ullán Comes, Miguel artículo
14openAccessPSD_2008_NIMA_manuscript_JMRafi_et_al_vfinal_revised.pdf.jpg1-jun-2009Degradation of high-resistivity float zone and magnetic Czochralski n-type silicon detectors subjected to 2-MeV electron irradiationRafí, J. M. CSIC ORCID ; Boulord, C.; Hayama, K.; Ohyama, H.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Lozano, M.; Simoen, E.; Claeys, C.artículo
15openAccessManuscript_#JES-10-0845R1_3rd_revision_vfinal.pdf.jpg2011Deposition temperature and thermal annealing effects on the electrical characteristics of atomic layer deposited Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> films on siliconRafí, J. M. CSIC ORCID ; Zabala, Miguel; Beldarrain, O.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID artículo
16openAccesspaper35_Esref02.pdf.jpg1-ene-2002Electrical characteristics of high-energy proton irradiated, ultra-thin gate oxidesRafí, J. M. CSIC ORCID ; Vergnet, B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Fleta, Celeste CSIC ORCID ; Fonseca, L.; Lozano, M.; Martínez, C.; Ullán, M.artículo
17openAccess1.4768167.pdf.jpg2013Electrical characterization of atomic-layer-deposited hafnium oxide films from hafnium tetrakis(dimethylamide) and water/ozone: Effects of growth temperature, oxygen source, and postdeposition annealingGarcía, H.; Castán, H.; Dueñas, S.; Bailón, L.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Beldarrain, O.; Zabala, Miguel; González, M. B.; Rafí, J. M. CSIC ORCID artículo
18closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgsep-2018Electrical Characterization of Defects Created by γ-Radiation in HfO2-Based MIS Structures for RRAM ApplicationsGarcía, Héctor; González, M. B.; Mallol, M. M.; Castán, H.; Dueñas, S.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Sambuco Salomone, L.; Faigón, A.artículo
19openAccessrafi_INFOS2007_full_paper_v2.pdf.jpg1-sep-2007Electrical stress on irradiated thin gate oxide partially depleted SOI nMOSFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Mercha, A.; Hayama, K.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Ohyama, H.; Claeys, C.artículo
20openAccessjmrafi_EUROSOI_2007_SSE_revised_vfinal.pdf.jpg2007Gate induced floating body effects in TiN/SiON and TiN/HfO<inf>2</inf> gate stack triple gate SOI nFinFETsRafí, J. M. CSIC ORCID ; Simoen, E.; Mercha, A.; Collaert, Nadine; Hayama, K.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Claeys, C.artículo