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		Derechos	Preview	Fecha Public.	Título	Autor(es)	Tipo
	1	openAccess		11-feb-2015	Investigation of the resistive switching behavior in Ni/HfO2-based RRAM devices	González, M. B.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Beldarrain, O.; Zabala, Miguel; Campabadal, Francesca CSIC ORCID	comunicación de congreso
	2	closedAccess		8-feb-2017	Top electrode dependence of the resistive switching behavior in HfO2/n+Si-based devices	Muñoz-Gorriz, J.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID	póster de congreso
	3	openAccess		20-jun-2018	Effect of Resistive Switching Cycling on the Physical Characteristics of Ni/HfO2/n+-Si RRAM Devices	Muñoz-Gorriz, J.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Miranda, E.	póster de congreso
	4	closedAccess		8-feb-2017	Resistive Switching with Bipolar Characteristics in TiN/Ti/HfO2/W Devices	Poblador, Samuel CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID	comunicación de congreso
	5	openAccess		29-jun-2015	Dedicated Random Telegraph Noise Characterization of Ni/HfO2-based RRAM Devices	González, M. B.; Martín-Martínez, Javier; Rodríguez, Rosana; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Nafría, Montserrat; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Aymerich, Xavier	comunicación de congreso
	6	closedAccess		ago-2016	Investigation of Filamentary Current Fluctuations Features in the High-Resistance State of Ni/HfO2-Based RRAM	González, M. B.; Martín-Martínez, Javier; Maestro, Marcos; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Nafría, Montserrat; Campabadal, Francesca CSIC ORCID	artículo