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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorLong, Xiaoes_ES
dc.contributor.authorTan, Huanes_ES
dc.contributor.authorEstandía, Saúles_ES
dc.contributor.authorGázquez, Jaumees_ES
dc.contributor.authorSánchez Barrera, Florencioes_ES
dc.contributor.authorFina, Ignasies_ES
dc.contributor.authorFontcuberta, Josepes_ES
dc.date.accessioned2022-05-12T13:30:33Z-
dc.date.available2022-05-12T13:30:33Z-
dc.date.issued2022-03-23-
dc.identifier.citationAPL Materials 10(3): 031114 (2022)es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10261/269514-
dc.description.abstractElectroresistance in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) films is pivotal toward the implementation of hafnia-based ferroelectrics in electronics. Here, we show that the electroresistance yield and endurance of large capacitors (∼314 μm2) of epitaxial HZO films only 2.2 nm thick grown on SrTiO3 or GdScO3 can be improved using 1 nm SrTiO3 capping layers. It is argued that the main role of the capping layer is to minimize charge transport along grain boundaries, and, thus, a similar strategy can be explored in polycrystalline films.es_ES
dc.description.sponsorshipFinancial support from the Spanish Ministry of Science and Innovation (MCIN/AEI/10.13039/501100011033) through the Severo Ochoa FUNFUTURE (Grant No. CEX2019-000917-S) and Grant Nos. PID2019-107727RB-I00, PID2020-112548RB-I00, and PID2020-118479RB-I00; the Consejo Superior de Investigaciones Científicas through i-LINK (Grant No. LINKA20338) program; and the Generalitat de Catalunya (Grant No. 2017 SGR 1377) are acknowledged. This project was supported by a 2020 Leonardo Grant for Researchers and Cultural Creators, BBVA Foundation. Xiao Long and Huan Tan are financially supported by the China Scholarship Council (CSC) under Grant Nos. 201806100207 and 201906050014. The work of Xiao Long and Huan Tan was done as a part of their Ph.D. program in Materials Science at Universitat Autònoma de Barcelona. Saúl Estandía acknowledges the Spanish Ministry of Economy, Competitiveness and Universities for his Ph.D. Contract (No. SEV-2015-0496-16-3) and its cofunding by the ESF.es_ES
dc.description.sponsorshipWith funding from the Spanish government through the ‘Severo Ochoa Centre of Excellence’ accreditation (CEX2019-000917-S).es_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.publisherAmerican Institute of Physicses_ES
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/MICIU/Plan Estatal de investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/CEX2019-000917-Ses_ES
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2019-107727RB-I00/ES/MATERIALES MULTIFERROICOS EFICIENTES Y COMPATIBLES INDUSTRIALMENTE/es_ES
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2020-112548RB-I00/ES/CAPAS FINAS EPITAXIALES DE HFO2 CON ALTA POLARIZACION FERROELECTRICA, RESISTENCIA AL CICLADO Y RETENCION/es_ES
dc.relationinfo:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2020-118479RB-I00/ES/SIMETRIA Y BAJA DIMENSIONALIDAD COMO PLATAFORMA PARA MATERIALES ESPINTRONICOS Y FOTOCONVERSION/es_ES
dc.relation.ispartofAPL Materialses_ES
dc.relation.isversionofPublisher's versiones_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectThin filmses_ES
dc.subjectElectron energy loss spectroscopyes_ES
dc.subjectCharge transportes_ES
dc.subjectElectronic configurationes_ES
dc.titleEnhanced electroresistance endurance of capped Hf0.5Zr0.5O2 ultrathin epitaxial tunnel barrierses_ES
dc.typeartículoes_ES
dc.identifier.doi10.1063/5.0076865-
dc.description.peerreviewedPeer reviewedes_ES
dc.relation.publisherversionhttp://dx.doi.org/10.1063/5.0076865es_ES
dc.identifier.e-issn2166-532X-
dc.contributor.funderMinisterio de Ciencia, Innovación y Universidades (España)es_ES
dc.contributor.funderConsejo Superior de Investigaciones Científicas (España)es_ES
dc.contributor.funderGeneralitat de Catalunyaes_ES
dc.contributor.funderFundación BBVAes_ES
dc.contributor.funderChina Scholarship Counciles_ES
dc.relation.csicSíes_ES
oprm.item.hasRevisionno ko 0 false*
dc.identifier.funderhttp://dx.doi.org/10.13039/501100004543es_ES
dc.identifier.funderhttp://dx.doi.org/10.13039/501100002809es_ES
dc.identifier.funderhttp://dx.doi.org/10.13039/100007406es_ES
dc.identifier.funderhttp://dx.doi.org/10.13039/501100003339es_ES
dc.contributor.orcidLong, Xiao [0000-0002-3619-1318]es_ES
dc.contributor.orcidTan, Huan [0000-0002-5579-2127]es_ES
dc.contributor.orcidSánchez Barrera, Florencio [0000-0002-5314-453X]es_ES
dc.contributor.orcidFina, Ignasi [0000-0003-4182-6194]es_ES
dc.contributor.orcidFontcuberta, Josep [0000-0002-7955-2320]es_ES
dc.identifier.scopus2-s2.0-85127317519-
dc.identifier.urlhttps://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/85127317519-
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501es_ES
item.grantfulltextopen-
item.fulltextWith Fulltext-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.languageiso639-1en-
item.cerifentitytypePublications-
item.openairetypeartículo-
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