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http://hdl.handle.net/10261/258234COMPARTIR / EXPORTAR:
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| Título: | Ni/HfO2/Si resistive switching structures: A device level and nanoscale analysis with CAFM |
Autor: | Claramunt, S.; Wu, Q.; Maestro, Marcos; Porti, M.; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Martín-Martínez, Javier; Campabadal, Francesca CSIC ORCID ; Nafría, Montserrat | Fecha de publicación: | 8-feb-2017 | Citación: | 11st Spanish Conference on Electron Devices (2017) | Descripción: | Trabajo presentado en la 11st Spanish Conference on Electron Devices (CDE), celebrada en Barcelona (España), del 8 al 10 de febrero de 2017 | URI: | http://hdl.handle.net/10261/258234 |
| Aparece en las colecciones: | (IMB-CNM) Comunicaciones congresos |
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