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http://hdl.handle.net/10261/257199COMPARTIR / EXPORTAR:
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| Título: | Resistive Switching with Bipolar Characteristics in TiN/Ti/HfO2/W Devices |
Autor: | Poblador, Samuel CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; González, M. B.; Campabadal, Francesca CSIC ORCID | Palabras clave: | Bipolar resistive switching Conductive filament HfO2 Resistive random access memory |
Fecha de publicación: | 8-feb-2017 | Editor: | Institute of Electrical and Electronics Engineers | Citación: | 11th Spanish Conference on Electron Devices (2017) | Resumen: | In this work, TiN/Ti/HfO2/W devices have been fabricated and their resistive switching (RS) characteristics have been assessed. The analysis of the obtained results indicates an asymmetric bipolar RS behavior with two very well defined resistance states and good reliability in large sequences of DC voltage sweep and pulse-train cycles. | Descripción: | Trabajo presentado en el 11th Spanish Conference on Electron Devices (CDE), celebrado en Barcelona (España), del 8 al 10 de febrero de 2017 | Versión del editor: | http://dx.doi.org/10.1109/CDE.2017.7905217 | URI: | http://hdl.handle.net/10261/257199 | DOI: | 10.1109/CDE.2017.7905217 | Identificadores: | doi: 10.1109/CDE.2017.7905217 isbn: 978-150905072-7 |
| Aparece en las colecciones: | (IMB-CNM) Comunicaciones congresos |
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