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		Derechos	Preview	Fecha Public.	Título	Autor(es)	Tipo
	1	openAccess		4-oct-2001	Method for the production of silicon carbide (SIC) layers by means of ionic implantion of carbon and anneals.	Pérez Rodríguez, Alejandro; Serre, Christophe; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID	patente
	2	closedAccess		jun-1997	Synthesis of SiC microstructures in Si technology by high dose carbon implantation: Etch-stop properties	Serre, Christophe; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Calvo Barrío, L.; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Skorupa, Wolfgang; Kögler, Reinhard	artículo
	3	closedAccess		ene-2001	Structural and electrical characterization of ion beam synthesized and n-doped SiC layers	Serre, Christophe; Panknin, D.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID	artículo
	4	closedAccess		1999	Test microstructures for measurement of SiC thin film mechanical properties	Serre, Christophe; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID	artículo
	5	closedAccess		12-dic-2001	Ion beam synthesis of n-type doped SiC layers	Serre, Christophe; Panknin, D.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID	artículo
	6	closedAccess		16-jun-1998	beta-SiC on SiO2 formed by ion implantation and bonding for micromechanics applications	Serre, Christophe; Romano-Rodríguez, Alberto; Pérez Rodríguez, Alejandro; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Fonseca, Luis; Plaza, José Antonio CSIC ORCID ; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID	comunicación de congreso
	7	closedAccess		1996	Etch-stop behavior of buried layers formed by substoichiometric nitrogen ion implantation into silicon	Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Esteve i Tintó, Jaume; Montserrat Martí, Josep CSIC ORCID ; El‐Hassani, A.	artículo
	8	closedAccess		5-jun-2001	Ion Beam synthesis of n-type doped SiC layers	Serre, Christophe; Panknin, D.; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID	comunicación de congreso
	9	closedAccess		1993	Analysis of buried etch-stop layers in silicon by nitrogen-ion implantation	Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Pérez Rodríguez, Alejandro; Esteve i Tintó, Jaume; Montserrat Martí, Josep CSIC ORCID ; Garrido, Blas; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID	artículo
	10	closedAccess		1995	Synthesis of thin membranes in Si Technology by carbon ion implantation	Serre, Christophe; Pérez Rodríguez, Alejandro; Calvo Barrío, L.; Romano-Rodríguez, Alberto; Morante, Joan Ramón CSIC ORCID; Esteve i Tintó, Jaume; Acero Leal, María Cruz CSIC ORCID ; Skorupa, Wolfgang; Kögler, Reinhard	comunicación de congreso