Sistema de transistores de grafeno para medir señales electrofisiológicas

Abstract

Sistema de transistores de grafeno para medir señales electrofisiológicas. El objeto de la invención se basa en las matrices flexibles de transistores grafeno de efecto de campo (gSGFETs) epicorticales y intracorticales, que pueden registrar señales infralentas junto con señales en un ancho de banda típico de potenciales de campo local. El objeto de la invención se basa en el sistema del transistor del grafeno para medir las señales electrofisiológicas, comprendiendo una unidad de proceso, y por lo menos un transistor del grafeno (gSGFET) que comprende el grafeno como material del canal contactado por dos terminales, a los cuales se une una fuente de tensión variable en los terminales de drenador y de fuente del transistor (gSGFET) referido a la tensión de la puerta, y al menos un filtro configurado para adquirir y dividir la señal del transistor en al menos dos bandas de frecuencia, banda de baja frecuencia y banda de alta frecuencia, en el que las señales primera y segunda se amplifican respectivamente con un valor de ganancia.