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García, J.M.

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García, J.M.
 
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Garcia, Jorge M
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Centro o Instituto
CSIC - Instituto de Microelectronica de Madrid (IMM)
 
Categoría Profesional
Director
 
Especialización
Tecnologías Fisicas
 
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jm.garcia@csic.es
 
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Refined By:
Autor:  Petroff, Pierre M.
Autor:  Moskalenko, E. S.

Resultados 1-11 de 11.

DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
1openAccesse195332.pdf.jpgnov-2002Acceptor-induced threshold energy for the optical charging of InAs single quantum dotsMoskalenko, E. S.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
2openAccessA100Z314.pdf.jpgsep-2001Carrier diffusion in the barrier enabling formation of charged excitons in InAs/GaAs quantum dotsKarlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
3openAccesse155317.pdf.jpg20-oct-2003Effect of an additional infrared excitation on the luminescence efficiency of a single InAs/GaAs quantum dotMoskalenko, E. S.; Donchev, V.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
4closedAccess10-jun-2003Effective tuning of the charge-state of single In(Ga)As/GaAs quantum dots by below barrier band gap excitationKarlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
5openAccessp1877-1882.pdf.jpg2006Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate generation of electrons and holesDonchev, V.; Moskalenko, E. S.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
6openAccesshttp___scitation.aip.org_getpdf_servletdoi=10.1063_1.pdf.jpgdic-2002Formation of the charged exciton complexes in self-assembled InAs single quantum dotsMoskalenko, E. S.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
7openAccesse085302.pdf.jpg11-jul-2001Influence of excitation energy on charged exciton formation in self-assembled InAs single quantum dotsMoskalenko, E. S.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
8openAccessPáginas de 1402-4896_2002_T101_036.pdf.jpg2002Optical Charging of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum DotsKarlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
9openAccesshttp___scitation.aip.org_getpdf_servletdoi=10.1063_1.pdf.jpg7-may-2001Temperature influence on optical charging of self-assembled InAs/GaAs semiconductor quantum dotsKarlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
10closedAccessfeb-2004Temperature study of the photoluminescence of a single InAs/GaAs quantum dotDonchev, V.; Karlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo
11closedAccessmar-2002The influence of carrier diffusion on the formation of charged excitons in InAs/GaAs quantum dotsKarlsson, K. F.; Moskalenko, E. S.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; Petroff, Pierre M.artículo