Caracterización de diodos Schottky Pt/GaAs de capa porosa mediante microscopía de efecto túnel

Abstract

[EN] A characterization of the Pt metallization of the GaAs surface has been done with a scanning tunneling microscope in air. The results not only confirm the porous character of the deposition but also clearly differentiate between the metal spots and the semiconductor substrate by means of the spectroscopic images.

[ES] Se ha caracterizado mediante microscopía de efecto túnel a presión atmosférica la metalización de GaAs con Pt. Los resultados obtenidos no sólo confirman el carácter poroso de la deposición, sino que también permiten distinguir claramente los centros de metal del substrato semiconductor mediante las imágenes espectroscópicas.