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Navegación por Autor Fernández-Martínez, Pablo

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DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
openAccessenergies-10-00256-v2.pdf.jpg20-feb-2017A New Vertical JFET Power Device for Harsh Radiation EnvironmentsFernández-Martínez, Pablo; Flores, David; Hidalgo, Salvador ; Jordà, Xavier; Perpiñá Giribet, Xavier; Quirion, David; Ré, Lucía; Ullán Comes, Miguel ; Vellvehi Hernández, Miquelartículo
openAccessdirectrate.pdf.jpg2020Direct ionization impact on accelerator mixed-field soft-error rateGarcía Alía, Rubén; Tali, Maris; Brugger, Markus; Cecchetto, Matteo; Cerutti, Francesco; Cononetti, Andrea; Danzeca, Salvatore; Esposito, Luigi; Fernández-Martínez, Pablo; Gilardoni, Simone; Infantino, Angelo; Kastriotou, Maria; Kerboub, Nourdine; Lerner, Giuseppe; Wyrwoll, Vanessa; Ferlet-Cavrois, Véronique; Boatella, César; Javanainen, Arto; Kettunen, Heikki; Martín Holgado, Pedro CSIC ORCID; Gaillard, Rémi; Wrobel, Frédéric; Cazzaniga, Carlo; Alexandrescu, Dan; Glorieux, Maximilien; Puchner, Helmutartículo
openAccessWO2017051051A1.pdf.jpg30-mar-2017Jfet-type transistor and method for the production thereofUllán Comes, Miguel ; Fernández-Martínez, Pablo; Hidalgo, Salvador ; Flores, David; Giulio Villani, Enricosolicitud de patente
openAccessES2610187B1.pdf.jpg26-abr-2017Transistor tipo jfet y método de obtención del mismoUllán Comes, Miguel ; Fernández-Martínez, Pablo; Hidalgo, Salvador ; Flores, David; Giulio Villani, Enricopatente
openAccessES2610187A1.pdf.jpg26-abr-2017Transistor tipo jfet y método de obtención del mismoUllán Comes, Miguel ; Fernández-Martínez, Pablo; Hidalgo, Salvador ; Flores, David; Giulio Villani, Enricosolicitud de patente