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Título

Leakage current in atomic-size surface interconnects

Autor Kepenekian, M. ; Robles, Roberto ; Joachim, Christian; Lorente, Nicolás
Fecha de publicación 2013
EditorAmerican Institute of Physics
Citación Applied Physics Letters 103(16): 161603 (2013)
ResumenThe current lost into a doped silicon substrate from a surface-supported nanowire is evaluated using transport calculations based on density functional theory. The calculations are performed for an infinite non-periodic wire for various types of dopants. Two concentration limits are explored: the single-dopant and the massively doped limits. Our calculations permit us to conclude that n-doped Si will be less leaky than p-doped Si. For the low bias at which these nanodevices will operate, leakage currents will be less than 10% for n-doped Si substrates and 20% for p-doped ones. © 2013 AIP Publishing LLC.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.4825375
URI http://hdl.handle.net/10261/99394
DOI10.1063/1.4825375
Identificadoresdoi: 10.1063/1.4825375
issn: 0003-6951
e-issn: 1077-3118
Aparece en las colecciones: (CIN2) Artículos
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