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Título

Band structure of boron doped carbon nanotubes

AutorWirtz, Ludger; Rubio, Angel
Fecha de publicación2003
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónAip Conference Proceedings 685: 402 (2003)
ResumenWe present ab initio and self‐consistent tight‐binding calculations on the band structure of single wall semiconducting carbon nanotubes with high degrees (up to 25 %) of boron substitution. Besides a lowering of the Fermi energy into the valence band, a regular, periodic distribution of the p‐dopants leads to the formation of a dispersive “acceptor”‐like band in the band gap of the undoped tube. This comes from the superposition of acceptor levels at the boron atoms with the delocalized carbon π‐orbitals. Irregular (random) boron‐doping leads to a high concentration of hybrids of acceptor and unoccupied carbon states above the Fermi edge.
DescripciónPresentado al XVII International Winterschool Euroconference on Electronic Properties of Novel Materials celebrado en Austria del 8 al 15 de marzo de 2003.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1628059
URIhttp://hdl.handle.net/10261/98457
DOI10.1063/1.1628059
ISBN0-7354-0154-3
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