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Título

Longer InN phonon lifetimes in nanowires

AutorDomènech-Amador, Núria ; Cuscó, Ramón ; Artús, Lluís ; Stoica, T.; Calarco, R.
Palabras claveSemiconductors
Condensed matter: electrical, magnetic and optical
Nanoscale science and low-D systems
Fecha de publicación2012
EditorInstitute of Physics Publishing
CitaciónNanotechnology 23 (2012)
ResumenWe present a Raman scattering study of the anharmonic phonon decay of the E low 2, E high 2 and E1(LO) phonons in InN nanowires over the 80-400 K temperature range. While the temperature-dependent anharmonic decay in the nanowires is similar to that found for bulk InN, the background contribution to the phonon lifetime is strongly reduced as a result of the improved crystalline quality. High-resolution measurements reveal a remarkably long lifetime of the E low 2 mode. From the comparison between the E low 2 frequencies measured in the nanowires with those of the thin film we obtain the deformation potentials for the E low 2 mode. © 2012 IOP Publishing Ltd.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/23/8/085702
URIhttp://hdl.handle.net/10261/97656
DOI10.1088/0957-4484/23/8/085702
Identificadoresdoi: 10.1088/0957-4484/23/8/085702
issn: 0957-4484
Aparece en las colecciones: (ICTJA) Artículos
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