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Título

Octagonal defects as the source of gap states in graphene semiconducting structures

AutorPelc, M.; Jaskólski, W.; Ayuela, Andrés ; Chico, Leonor
Fecha de publicación2013
EditorPolish Academy of Sciences
CitaciónActa Physica Polonica A 124(5): 777-780 (2013)
ResumenWe study graphene nanoribbons and carbon nanotubes with divacancies, i.e., local defects composed of one octagon and a pair of pentagons. We show that the presence of divacancies leads to the appearance of gap states, which may act as acceptor or donor states. We explain the origin of those defect-localized states and prove that they are directly related to the zero-energy states of carbon ring forming the octagonal topological defect.
DescripciónTrabajo presentado al 42th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors (Wisla-Polonia 2013).
Versión del editorhttp://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/ABSTR/124/a124-5-6.html
URIhttp://hdl.handle.net/10261/95151
DOI10.12693/APhysPolA.124.777
Identificadoresdoi: 10.12693/APhysPolA.124.777
issn: 0587-4246
e-issn: 1898-794X
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
(CFM) Artículos
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