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Título

Método de nanoestructuración de láminas ultra-finas de un óxido dieléctrico de alta permitividad

Autor Tejedor, Paloma; Benedicto, Marcos ; Galiana, Beatriz
Fecha de publicación 7-feb-2013
Citación ES2395033 B1
ResumenMétodo de nanoestructuración de láminas de un óxido dieléctrico de alta permitividad -high- κ - caracterizado porque comprende realizar una nanolitografía por interferometría láser en la configuración "Lloyd's mirror" y posterior tratamiento mediante un ataque con iones reactivos, siguiendo las siguientes etapas: a) depósito de una capa antirreflectante sobre una lámina sustrato de partida, preferentemente HfO2 sobre obleas de GaAs, b) depósito de una capa de SiO2, c) depósito de una fotorresina sobre el producto de la etapa b), d) grabado de los motivos en la fotorresina mediante nanolitografía por interferometría láser en la configuración "Lloyd's mirror" (LInL), e) transferencia de los motivos a la capa de SiO2 mediante ataque por RIE, f) transferencia de los motivos a la capa de ARC mediante ataque por RIE, g) eliminación de la fotorresina mediante ataque por RIE y transferencia de los motivos a la lámina sustrato de partida mediante RIE, h) eliminación de los residuos orgánicos de la capa de ARC mediante RIE.
URI http://hdl.handle.net/10261/94454
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