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Título

Electron density gradients in ammonothermally grown Si-doped GaN

Autor Cuscó, Ramón ; Domènech-Amador, Núria ; Jiménez, Juan; Artús, Lluís
Fecha de publicación 2014
EditorJapanese Society of Applied Physics
Citación Applied Physics Express 7 (2014)
ResumenCharge homogeneity in heavily Si-doped ammonothermal GaN has been studied by confocal micro-Raman measurements. The polarized Raman spectra indicate a high crystalline quality of the sample. On the N-polarity growth sector we observe both branches (L+, L-) of the phonon-plasmon coupled modes. The free-electron density, which is derived from a line-shape fit to the L+ mode, displays an in-depth gradient with a decreasing density when the top surface is approached. The Raman spectra of the Ga-polarity growth sector do not show any trace of phonon-plasmon coupled modes, suggesting a lower Si incorporation and/or the presence of compensating deep levels. © 2014 The Japan Society of Applied Physics.
Versión del editorhttp://iopscience.iop.org/1882-0786/7/2/021001
URI http://hdl.handle.net/10261/92859
DOI10.7567/APEX.7.021001
Identificadoresdoi: 10.7567/APEX.7.021001
issn: 1882-0778
Aparece en las colecciones: (ICTJA) Artículos
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