English   español  
Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/89622
COMPARTIR / IMPACTO:
Estadísticas
logo share SHARE logo core CORE   Add this article to your Mendeley library MendeleyBASE

Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL
Exportar a otros formatos:
Título

Waveguide saturable absorbers at 1.55 μm based on intraband transitions in GaN/AlN QDs

AutorMonteagudo-Lerma, L.; Valdueza-Felip, S.; Naranjo, F. B.; Corredera, Pedro ; Rapenne, L.; Sarigiannidou, E.; Strasser, G.; Monroy, E.; González Herráez, Miguel
Palabras claveAll-optical devices
Waveguides
Semiconductor nonlinear optics including MQW
Fecha de publicación2013
EditorOptical Society of America
CitaciónOptics Express 21: 27578-27586 (2013)
ResumenWe report on the design, fabrication and optical characterization of GaN/AlN quantum-dot-based waveguides for all-optical switching via intraband absorption saturation at 1.55 μm. The transmittance of the TMpolarized light increases with the incident optical power due to the saturation of the s-p z intraband absorption in the QDs. Single-mode waveguides with a ridge width of 2 μm and a length of 1.5 mm display 10 dB absorption saturation of the TM-polarized light for an input pulse energy of 8 p J and 150 fs. © 2013 Optical Society of America.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/89622
DOI10.1364/OE.21.027578
Identificadoresdoi: 10.1364/OE.21.027578
issn: 1094-4087
Aparece en las colecciones: (CFMAC-IO) Artículos
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
Monteagudo.pdf1,69 MBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo
 

Artículos relacionados:


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.