English   español  
Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/7449
COMPARTIR / IMPACTO:
Estadísticas
logo share SHARE logo core CORE   Add this article to your Mendeley library MendeleyBASE

Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL
Exportar a otros formatos:
Título

Cross gain modulation in broad area vertical cavity semiconductor amplifier

AutorMarino, Francesco; Furfaro, Luca; Balle, Salvador
Palabras claveSemiconductor optical amplifiers
Optical wavelength conversion
Amplification
Optical modulation
Fecha de publicación8-abr-2005
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 86, 151116 (2005)
ResumenWe demonstrate that broad-area vertical-cavity semiconductor optical amplifiers allow for wavelength conversion at 2.5 Gb/s via cross-gain modulation sXGMd. XGM is reached with a saturation beam of only 1.5 mW over an optical bandwidth of 0.7 nm s215 GHzd. Depending on the wavelengths of the injected fields, inverted or noninverted output can be obtained.
Descripción3 pages.-- PACS nrs.: 42.55.Px, 42.65.Ky, 42.60.Fc.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1905811
URIhttp://hdl.handle.net/10261/7449
DOI10.1063/1.1905811
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (IMEDEA) Artículos
(IFISC) Artículos
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
ApplPhysLett_86_151116.pdf56,52 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo
 

Artículos relacionados:


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.