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Título

Cross gain modulation in broad area vertical cavity semiconductor amplifier

Autor Marino, Francesco; Furfaro, Luca; Balle, Salvador
Palabras clave Semiconductor optical amplifiers
Optical wavelength conversion
Amplification
Optical modulation
Fecha de publicación 8-abr-2005
EditorAmerican Institute of Physics
Citación Applied Physics Letters 86, 151116 (2005)
ResumenWe demonstrate that broad-area vertical-cavity semiconductor optical amplifiers allow for wavelength conversion at 2.5 Gb/s via cross-gain modulation sXGMd. XGM is reached with a saturation beam of only 1.5 mW over an optical bandwidth of 0.7 nm s215 GHzd. Depending on the wavelengths of the injected fields, inverted or noninverted output can be obtained.
Descripción 3 pages.-- PACS nrs.: 42.55.Px, 42.65.Ky, 42.60.Fc.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1905811
URI http://hdl.handle.net/10261/7449
DOI10.1063/1.1905811
ISSN0003-6951
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