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Título : Estructura de test para la medida del desalineamiento entre niveles en tecnologías microelectrónicas, basada en transistores MOS con puerta triangular
Autor : Lozano Fantoba, Manuel; Cané Ballart, Carles; Perelló García, Carles; Lora-Tamayo D’Ocón, Emilio
Fecha de publicación : 1-abr-1996
Citación : Publication nr.: ES 2042382 B1
Resumen: Estructura de test para la medida del desalineamiento entre niveles en tecnologías microelectrónicas, basada en transistores MOS con puerta triangular (ver figura en archivo de taxto adjunto). La estructura de test para la medida del desalineamiento entre niveles de tecnologías microeléctricas, basada en transistores MOS con puerta triangular, es un dispositivo microelectrónico compuesto de cuatro transistores MOS con la puerta triangular, dispuestos formando 90º entre sí, con los terminales de fuente unidos, sensible al desalineamiento entre los niveles de puerta y áreas activas en tecnologías autoalineadas. El desalineamiento se obtiene a partir de la medida de la corriente de canal en cada uno de los transistores, polarizando los mismos en la zona lineal o en la de saturación.
Descripción : Referencia OEPM: P8900452.-- Fecha de solicitud: 30/10/1991.-- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).
URI : http://hdl.handle.net/10261/6676
Referencias: ES 2042382 B1
Aparece en las colecciones: (IMB-CNM) Patentes
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