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Title

Comparaison de diodes SiC-4H Schottky et bipolaires 3 kV-20 A

AuthorsJordà, Xavier
Issue Date2009
PublisherLavoisier
CitationRevue internationale de génie électrique 12(2): 225-236 (2009)
AbstractDes diodes Schottky et bipolaire ont été réalisées en carbure de silicium. Une tenue en tension de 3,3 kV a été obtenue. Les diodes ont été encapsulées et caractérisées en température jusqu'à 300 °C. La diode Schottky montre une augmentation de la chute de potentiel avec la température et une charge de recouvrement indépendante de la température, ce qui la rend plus attractive que la diode bipolaire. En effet, sa charge de recouvrement est multipliée par 20 à 300 °C par rapport à la Schottky. 55 % des diodes bipolaires stressées à 20 A montrent une très faible dérive de la tension en direct. Les pertes en commutations de ces diodes stressées sont diminuées de 20 %. L'amélioration de la qualité du matériau fait qu'aujourd'hui des composants de grande taille peuvent être réalisés en SiC (diode Schottky de 25 mm2 ) et les composants bipolaires présentent une très faible dérive en tension.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/65625
DOI10.3166/EJEE.12.225-236
Identifiersdoi: 10.3166/EJEE.12.225-236
e-issn: 2103-3641
issn: 1295-490X
Appears in Collections:(IMB-CNM) Artículos
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