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The effects of Stress, Temperature and Spin Flips on Polarization Switching in VCSELS

AutorVan der Sande, Guy ; Peeters, Michael; Veretennicoff, Irina; Danckaert, Jan; Verschaffelt, Guy; Balle, Salvador
Palabras claveNumerical analysis
Optical polarization
Quantum theory
Surface emitting lasers
Fecha de publicación12-sep-2006
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers
CitaciónIEEE Journal of Quantum Electronics 42, 896-904 (2006)
ResumenWe discuss the effect of uniaxial planar stress on polarization switching in vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The approach is based on an explicit form of a frequency-dependent complex susceptibility of the uniaxially stressed quantum-well semiconductor material. In this mesoscopic framework, we have taken cavity anisotropies, spin carrier dynamics, and thermal shift of the gain curve into account. In this way, we present a model that provides a global overview of the polarization switching phenomenon. The results are compared with experiments on an air-post VCSEL operating at 980 nm.
Descripción9 pages.-- Final full-text version of the paper available at: http://dx.doi.org/10.1109/JQE.2006.879816.
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