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Título

Friction force microscopy characterization of semiconductor heterostructures

AutorTamayo de Miguel, Francisco Javier ; García García, Ricardo
Fecha de publicación1996
EditorElsevier
CitaciónMaterials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 42: 122-126 (1996)
ResumenMeasurement of frictional forces in a scanning force microscopy has been applied to perform compositional characterization of semiconductor heterostructures. Semiconductor interfaces as well as multiquantum wells are resolved with 3 nm of spatial resolution. The chemical sensitivity of this method is studied by imaging a step graded Incursive chiGa1-cursive chiAs sample. Changes of 10% in indium (or gallium) composition are detected. These results point out the potential of friction force microscopy for simultaneous topography and compositional characterization of semiconductor materials.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/52521
DOI10.1016/S0921-5107(96)01692-3
Identificadoresdoi: 10.1016/S0921-5107(96)01692-3
issn: 0921-5107
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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