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Título

Raman-scattering study of GaP/InP strained-layer superlattices

AutorAlonso, M. I.; Castrillo, Pedro ; Armelles Reig, Gaspar ; Ruiz, A.; Recio Segoviano, Miguel ; Briones Fernández-Pola, Fernando
Fecha de publicación1992
EditorAmerican Physical Society
CitaciónPhysical Review B 45: 9054-9058 (1992)
ResumenWe discuss the first-order Raman spectra of short-period GaP/InP strained-layer superlattices grown by atomic-layer molecular-beam epitaxy on {001} GaAs substrates. Experimental spectra are successfully explained and compared to the results of simulations consisting of a linear-chain-method calculation combined with the bond-polarizability model. © 1992 The American Physical Society.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/52334
DOI10.1103/PhysRevB.45.9054
Identificadoresdoi: 10.1103/PhysRevB.45.9054
issn: 0163-1829
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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