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Título

Observation of AlGaAs/GaAs multiquantum well structure by scanning tunneling microscopy

AutorGómez-Rodríguez, J. M.; Baró, A. M. ; Silveira, Juan Pedro ; Vázquez, M.; González Díez, Yolanda ; Briones Fernández-Pola, Fernando
Fecha de publicación1990
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 56: 36-38 (1990)
ResumenWe have imaged an AlGaAs/GaAs multiquantum well structure by scanning tunneling microscopy (STM). In order to localize the structure the STM is integrated in a conventional scanning electron microscope. The observed surface structure has a periodicity of ≊180 Å and shows an apparent corrugation of ≊10 Å in the constant current mode. We discuss the possible mechanisms of the observed contrast, which we tentatively attribute to the different electrical properties of the two different layers.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/52295
DOI10.1063/1.102639
Identificadoresdoi: 10.1063/1.102639
issn: 0003-6951
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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