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Título

Confined optical phonons in GaAs/GaP strained layer superlattices

AutorArmelles Reig, Gaspar ; Ruiz, A.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Recio Segoviano, Miguel
Fecha de publicación1989
EditorElsevier
CitaciónSolid State Communications 71: 431-434 (1989)
ResumenIn this letter we report on Raman characterization of GaAs/GaP short period strained layer superlattices grown on GaAs (100) substrates by Atomic layer Molecular Beam Epitaxy (ALMBE). Confined optical phonons are observed in this highly strained system. The experimental results are compared with a calculation based on the equivalent wave-vector model. © 1989.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/52139
DOInull
Identificadoresdoi:
issn: 0038-1098
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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