English   español  
Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/52121
Compartir / Impacto:
Estadísticas
Add this article to your Mendeley library MendeleyBASE
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL
Título

Growth and characterization of Al1-yInyAs/Ga 1-xInxAs strained multiple quantum wells

AutorRuiz, A.; Mestres, N.; Calleja, J. M.; Briones Fernández-Pola, Fernando
Fecha de publicación1994
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónJournal of Applied Physics 75: 4496-4500 (1994)
ResumenHighly strained Al1-yInyAs/Ga1-xIn xAs multiple quantum wells have been grown by atomic layer molecular beam epitaxy on [001]-GaAs substrates. Raman scattering and x-ray diffraction techniques have been used to determine layer composition and strain for a wide range of In concentration (0≤x≤0.44). When a thick buffer layer of AlInAs is used, commensurate growth of the quantum wells takes place if the In content of the barriers equals that of the buffer layer. Then the strain is only accumulated in the wells. The GaInAs wells can be either under biaxial tension or compression depending on the relative In content in wells and barriers.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/52121
DOI10.1063/1.355940
Identificadoresdoi: 10.1063/1.355940
issn: 0021-8979
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
JApplPhys_75_4496.pdf882,48 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo
 


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.