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Título

1.7 kV NPTV-groove clustered IGBT

AutorSpulber, O.; Sweet, M.; Vershinin, K.; Luther-King, N.; De Souza, M. M.; Sankara-Narayanan, E. M.; Flores, David; Millan, José
Fecha de publicación2004
CitaciónIEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems 151: 265-268 (2004)
ResumenA novel MOS-gated thyristor with excellent current saturation capability has been fabricated in 1.7 kV NPT technology. The new device uses V-groove trench gates fabricated by TMAH chemical etching to reduce fabrication costs. Experimental results demonstrate that the new V-groove CIGBT displays a good forward voltage drop of 2.2 V owing to the incorporation of the thyristor concept, which represents 18% improvement in comparison to state-of-the-art 1.7 kV NPT TIGBT. Moreover, the new V-groove CIGBT has been switched off in an inductive circuit and was tested under short-circuit conditions for 10 μs.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/51323
DOI10.1049/ip-cds:20040446
Identificadoresdoi: 10.1049/ip-cds:20040446
issn: 1350-2409
Aparece en las colecciones: (IMB-CNM) Artículos
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