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Título

Raman response of (11N)-oriented GaAs/AlAs superlattices within the framework of the bond polarizability model

AutorCastrillo, Pedro ; Armelles Reig, Gaspar ; Barbolla, J.
Fecha de publicación1996
EditorElsevier
CitaciónSolid State Communications 98: 307-311 (1996)
ResumenThe Raman response of (11N)-oriented GaAs/AlAs superlattices is studied within the framework of the bond polarizability model. We focus our attention on the cases of the (110), (111) and (112) orientations. We discuss the role that the mode mixing, the interface contribution and the lack of parity play in the Raman response. Analytical expressions for the Raman intensities are presented.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/50648
DOI10.1016/0038-1098(96)00065-8
Identificadoresdoi: 10.1016/0038-1098(96)00065-8
issn: 0038-1098
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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