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Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layer

AutorBeltrán, A. M.; Ben, Teresa; Sánchez, A. M.; Ripalda, José María ; Taboada, Alfonso G.; Molina, Sergio I.
Palabras claveQuantumdots
Transmission electron microscopy
Fecha de publicaciónjun-2011
CitaciónMaterials Letters 65(11): 1608-1610 (2011)
ResumenGaSb incorporation to InAs/GaAsquantumdots is considered for improving the opto-electronic properties of the systems. In order to optimize these properties, the introduction of an intermediateGaAslayer is considered a good approach. In this work, we study the effect of the introduction of aGaAsintermediatelayer between InAsquantumdots and aGaSb capping layer on structural and crystalline quality of these heterostructures. As the thickness of the GaAsintermediatelayer increases, a reduction of defect density has been observed as well as changes of quantumdots sizes. This approach suggests a promising method to improve the incorporation of Sb to InAs heterostructures.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2011.02.086
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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