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Título

Tunneling magnetoresistance in epitaxial discontinuous Fe/MgO multilayers

AutorGarcía-García, A.; Pardo, J. A.; Magen, Cesar; Teresa, José María de; Morellón, Luis; Algarabel, Pedro A. ; Ibarra, M. Ricardo
Fecha de publicaciónmar-2011
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 98(12): 122502 (2011)
ResumenEpitaxial discontinuous Fe/MgO multilayers have been grown by pulsed laser deposition on MgO(001) single-crystal substrates. The multilayers with 0.6 nm nominal Fe layers thickness are superparamagnetic and demonstrate tunneling magnetoresistance (TMR) in the current-in-plane configuration. Increasing deposition temperature causes an improvement in crystal quality and is accompanied by higher TMR ratios. The maximum value (9.2% TMR at room temperature and 18 kOe magnetic field) trebles that of polycrystalline samples deposited simultaneously on glass substrates. A model formula for TMR ratio that includes both spin-dependent tunneling and spin-filtering effect is proposed to explain these results.
Descripción3 páginas, 3 figuras.-- et al.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.3569149
URIhttp://hdl.handle.net/10261/47348
DOI10.1063/1.3569149
ISSN0003-6951
E-ISSN1077-3118
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