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Título

Quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy on silicon-on-gallium arsenide substrates

AutorLondon, Joanna M.; Postigo, Pablo Aitor ; Fonstad, C. G.
Fecha de publicación29-nov-1999
EditorAmerican Physical Society
CitaciónApplied Physics Letters 75: 3452 (1999)
ResumenSilicon-on-gallium arsenide ~SonG! wafers have recently been proposed as optimal substrates for monolithic integration of GaAs-based optoelectronic devices with silicon electronics. In this letter it is demonstrated that high quality quantum well heterostructures can be grown on SonG substrates under conditions consistent with the survival of pre-existing electronics. Photoluminescence and cathodoluminescence measurements confirm that these layers are sufficiently high quality to allow integration of light emitting and laser diodes on SonG substrates.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.125293
URIhttp://hdl.handle.net/10261/46943
DOI10.1063/1.125293
ISSN0003-6951
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