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Título

No volatilidad en láminas ferroeléctricas de SBT a 75°C

Otros títulosNon-volatility of ferroelectric SBT thin fims, at 75ºC
AutorJiménez, Ricardo ; González, A. ; Calzada, M. L. ; Mendiola, J.; Alemany, C.
Palabras claveNVFeRAM
SBT
Temperatura
Temperature
Fecha de publicaciónene-2002
EditorSociedad Española de Cerámica y Vidrio
CitaciónBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 41(1): 22-26 (2002)
Resumen[ES] El estudio de la no volatilidad de una memoria FeRAM de tantalato de bismuto y estroncio, SrBi2Ta2O9 (SBT) en condiciones reales de uso, requiere la caracterización ferroeléctrica del material en forma de lámina delgada a temperaturas por encima del ambiente. Para ello se han depositado láminas de SBT mediante un método sol-gel, sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si(100), seleccionándose condensadores de área 5.10-4 cm-2. Basándonos en las medidas de la variación de la polarización con el tiempo (retención) realizadas a temperatura ambiente y a 75ºC, analizamos la viabilidad del material como una FeRAM en condiciones reales de uso.
[EN] The study of the non-volatility of Strontium bismuth tantalate SrBi2Ta2O9 (SBT) FeRAM memory, at real operating conditions, requires the ferroelectric characterisation of the material, as a thin film, above the room temperature.As a result, it has been deposited SBT films by the sol-gel method, onto Pt/TiO2/SiO2/Si (100) substrates, using capacitors of 5 x 10–4 cm-2 .In this work, we analysed the viability of this material as a FeRAM memory in real operating conditions, as a result of the variation of the polarisation measurements with time (retention), performed at room temperature and 75ºC.
Versión del editorhttp://boletines.secv.es/es/index.php?id=42&vol=41
URIhttp://hdl.handle.net/10261/4690
ISSN0366-3175
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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