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Title

PbTiO3 modificado con Ca: de la cerámica a la lámina

Other TitlesCa modified PbTiO3: from the bulk ceramic to the film
AuthorsMendiola, J.; Alemany, C.; Jiménez, Ricardo CSIC ORCID; Maurer, E.; Calzada, M. L. CSIC ORCID
KeywordsFerroelectricos
Lámina delgada
relaxor (Pb,Ca)TiO3
Ferroelectrics
Thin films
Issue DateApr-2004
PublisherSociedad Española de Cerámica y Vidrio
CitationBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 43(3): 620-626 (2004)
Abstract[ES] Se describe la evolución en el conocimiento sobre el titanato de plomo modificado con calcio, (Pb1-xCax) TiO3, a través de sus propiedades estructurales y ferroeléctricas en forma cerámica hasta la actualidad y el interés por su conformación en láminas delgadas. Se hace referencia a su aplicabilidad en dispositivos electrónicos miniaturizados. Se aportan nuevos resultados experimentales en láminas delgadas de alto contenido en Ca, fabricadas mediante el método sol-gel. Los resultados obtenidos ponen de manifiesto cómo las propiedades medidas en cerámica se mantienen en lámina, aunque algo deprimidas. Se discute a la luz de los conocimientos actuales el diagrama de fases x-T, con especial atención a la aparición de la fase relaxora y a los modelos estructurales propuestos. Debido a las peculiares propiedades dieléctricas de las láminas de PTCa con x = 0.50, se discute la posibilidad de emplearlas en la fabricación de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) de alta densidad y en la preparación de componentes electrónicos para alta frecuencia (varactores).
[EN] A review on calcium modified lead titanate, (Pb1-xCax)TiO3 bulk ceramics, through its structural and ferroelectric properties is described as well as the interest for the preparation of these materials as thin films. References to applications of these films, such as small electronic devices, are also reported. New experimental results on thin films with large Ca contents, fabricated by the sol-gel method, are reported. Results show that thin films have similar properties than bulk ceramics, but somewhat rather depressed. x-T phase diagram is discussed based on the current knowledge, on the relaxor phase appearance and on structural models. The singular dielectric properties of these thin films with x=0.5, are considered for applications in high density dynamic random access memories (DRAM) and electronic components for high frequency (varactors).
Publisher version (URL)http://boletines.secv.es/es/index.php?id=19&vol=43
URIhttp://hdl.handle.net/10261/4437
ISSN0366-3175
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