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Título : Ferroelectrics onto silicon prepared by chemical solution deposition methods: from the thin film to the self-assembled systems
Otros títulos: Ferroeléctricos sobre silicio preparados por métodos de depósito químico de disoluciones: de la lámina delgada a los sistemas auto-ensamblados.
Autor : Calzada, M. L. ; Ricote, J. ; Jiménez, Ricardo ; Bretos, Íñigo ; Ramos, Pablo ; Mendiola, J.; Algueró, Miguel ; Pardo, Lorena
Palabras clave : Chemical Solution Deposition (CSD)
Thin film
Ferroelectricity
Ultrathin film
Nano-sized structures
Depósito químico de disoluciones (CSD)
Ferroelectricidad
Lámina delgada
Lámina ultra-delgada
Estructuras nanométricas
Fecha de publicación : may-2006
Editor: Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
Citación : Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 45(3): 126-131 (2006)
Resumen: [EN] The work of the authors during the last years on ferroelectric thin and ultra-thin films deposited by Chemical Solution Deposition (CSD) onto silicon based substrates is reviewed in this paper. Ferroelectric layers integrated with silicon substrates have potential use in the new micro/nanoelectronic devices. Two hot issues are here considered: 1) the use of low processing temperatures of the ferroelectric film, with the objective of not producing any damage on the different elements of the device heterostructure, and 2) the downscaling of the ferroelectric material with the aim of achieving the high densities of integration required in the next generation of nanoelectronic devices. The UV-assisted Rapid Thermal Processing has successfully been used in our laboratory for the fabrication of ferroelectric films at low temperatures. Preliminary results on the CSD preparation of nanosized ferroelectric structures are shown.
[ES] Este artículo revisa el trabajo realizado por los autores durante los últimos años sobre lámina delgada y ultra-delgada ferroeléctrica preparada mediante el depósito químico de disoluciones (CSD) sobre substratos de silicio. Las películas ferroeléctricas integradas con silicio tienen potenciales usos en los nuevos dispositivos micro/nanoelectrónicos. Dos aspectos claves son aquí considerados: 1) el uso de bajas temperaturas de procesado de la lámina ferroeléctrica, con el fin de no dañar los diferentes elementos que forman la heteroestructura del dispositivo y 2) la disminución de tamaño del material ferroeléctrico con el fin de conseguir las altas densidades de integración requeridas en la próxima generación de dispositivos nanoelectróncos. Los procesos térmicos rápidos asistidos con irradiación UV se están usando en nuestro laboratorio para conseguir la fabricación del material ferroeléctrico a temperaturas bajas compatibles con la tecnología del silicio. Se muestran resultados preliminares sobre estructuras ferroeléctricas nanométricas preparadas por CSD.
Versión del editor: http://boletines.secv.es/es/index.php?id=6&vol=45
URI : http://hdl.handle.net/10261/4029
ISSN: 0366-3175
Aparece en las colecciones: (ICMM) Artículos
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