Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item:
http://hdl.handle.net/10261/280060
COMPARTIR / EXPORTAR:
SHARE BASE | |
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL | DATACITE | |
Título: | Caracterization of neutron irradiated IMB-CNM SiC planar diodes with TPA-TCT |
Autor: | Currás, Esteban CSIC ORCID ; Fernández-García, Marcos CSIC ORCID ; Jaramillo, R. CSIC ORCID ; Moll, Michael; Montero Santos, Raúl; Palomo, Francisco Rogelio; Pape, Sebastian; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Quintana, Cristian CSIC ORCID; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; Rius, Gemma CSIC ORCID ; Vila, Iván CSIC ORCID; Wiehe, Moritz | Fecha de publicación: | 2022 | Citación: | 40th RD50 Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders (2022) | Resumen: | A radiation tolerance study of planar diodes fabricated on a SiC substrate will be presented. TPA-TCT was used to characterize the samples. The measurement campaign was carried out at the laser facility of the EHU-UPV university. | Descripción: | Trabajo presentado al 40th RD50 Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders, celebrado del 21 al 24 de junio de 2022 en el CERN (Zurich). | URI: | http://hdl.handle.net/10261/280060 |
Aparece en las colecciones: | (IFCA) Comunicaciones congresos (IMB-CNM) Comunicaciones congresos |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
---|---|---|---|---|
2022-06-21_RD50-v3.odp | 6,66 MB | OpenDocument Presentation | Visualizar/Abrir |
CORE Recommender
NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.