Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/280060
COMPARTIR / EXPORTAR:
logo share SHARE BASE
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL | DATACITE

Invitar a revisión por pares abierta
Título

Caracterization of neutron irradiated IMB-CNM SiC planar diodes with TPA-TCT

AutorCurrás, Esteban CSIC ORCID ; Fernández-García, Marcos CSIC ORCID ; Jaramillo, R. CSIC ORCID ; Moll, Michael; Montero Santos, Raúl; Palomo, Francisco Rogelio; Pape, Sebastian; Pellegrini, Giulio CSIC ORCID; Quintana, Cristian CSIC ORCID; Rafí, J. M. CSIC ORCID ; Rius, Gemma CSIC ORCID ; Vila, Iván CSIC ORCID; Wiehe, Moritz
Fecha de publicación2022
Citación40th RD50 Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders (2022)
ResumenA radiation tolerance study of planar diodes fabricated on a SiC substrate will be presented. TPA-TCT was used to characterize the samples. The measurement campaign was carried out at the laser facility of the EHU-UPV university.
DescripciónTrabajo presentado al 40th RD50 Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders, celebrado del 21 al 24 de junio de 2022 en el CERN (Zurich).
URIhttp://hdl.handle.net/10261/280060
Aparece en las colecciones: (IFCA) Comunicaciones congresos
(IMB-CNM) Comunicaciones congresos

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato
2022-06-21_RD50-v3.odp6,66 MBOpenDocument PresentationVisualizar/Abrir
Mostrar el registro completo

CORE Recommender

Page view(s)

56
checked on 18-abr-2024

Download(s)

13
checked on 18-abr-2024

Google ScholarTM

Check


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.