Method for producing RB-IGBT devices

Abstract

The invention relates to a novel method for producing IGBT devices with reverse blocking capability, comprising the use of the trench isolation technique, in which the trench was doped using a solid source with boron wafers, thereby reducing both the cost of the starting material and the process time.

La invención relaciona a un nuevo método para producir los dispositivos de IGBT con capacidad de bloqueo inversa, comprendiendo el uso de la técnica del aislamiento del surco, en la cual el surco era dopado con una fuente sólida con las obleas del boro, de tal modo reduciendo el coste del material de partida y el tiempo del procedimiento.