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Título

Nanometer-Scale Resolution of Strain and Interdiffusion in Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots

AutorKegel, I.; Metzger, T. H.; Lorke, Axel; Peisl, J.; Stangl, J.; Bauer, G.; García Martínez, Jorge Manuel ; García Martínez, Jorge Manuel ; Petroff, Pierre M.
Fecha de publicación21-ago-2000
EditorAmerican Physical Society
CitaciónPhysical Review Letters 85, 1694–1697 (2000)
ResumenTomographic nanometer-scale images of self-assembled InAs/GaAs quantum dots have been obtained from surface-sensitive x-ray diffraction. Based on the three-dimensional intensity mapping of selected regions in reciprocal space, the method yields the shape of the dots along with the lattice parameter distribution and the vertical interdiffusion profile on a subnanometer scale. The material composition is found to vary continuously from GaAs at the base of the dot to InAs at the top.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.1694
URIhttp://hdl.handle.net/10261/26048
DOI10.1103/PhysRevLett.85.1694
ISSN0163-1829
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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