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Título

Optical transitions and excitonic recombination in InAs/InP self-assembled quantum wires

AutorAlén, Benito ; Martínez-Pastor, Juan; García-Cristobal, Alberto; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel
Palabras claveIndium compounds
III-V semiconductors
Self-assembly
Semiconductor quantum wires
Interface states
Excitons
Photoluminescence
Light absorption
Light polarisation
Nonradiative transitions
Fecha de publicación25-abr-2001
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 78, 4025 (2001)
ResumenInAs self-assembled quantum wire structures have been grown on InP substrates and studied by means of photoluminescence and polarized-light absorption measurements. According to our calculations, the observed optical transitions in each sample are consistent with wires of different heights, namely from 6 to 13 monolayers. The nonradiative mechanism limiting the emission intensity at room temperature is related to thermal escape of carriers out of the wires.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1379991
URIhttp://hdl.handle.net/10261/25672
DOI10.1063/1.1379991
ISSN0003-6951
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
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