English   español  
Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/24386
Compartir / Impacto:
Estadísticas
Add this article to your Mendeley library MendeleyBASE
Citado 0 veces en Web of Knowledge®  |  Ver citas en Google académico
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL
Título

Surface photovoltage and photoluminescence spectroscopy of self-assembled InAs/InP quantum wires

AutorDonchev, V.; Ivanov, T. S.; Angelova, T.; Cros, A.; Cantarero, Andrés; Shtinkov, N.; Borisov, K.; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa
Palabras claveOptical properties
Quantum wire
III-V semiconductors
Fecha de publicación2-mar-2010
EditorInstitute of Physics Publishing
CitaciónJournal of Physics: Conference Series 210(1): 012041 (2010)
ResumenThe optical properties of InAs/InP multi-layer quantum wire (QWR) structures of various spacer thicknesses have been investigated by means of room temperature surface photovoltage and photoluminescence spectroscopy. Combined with empirical tight binding calculations, the spectra have revealed transitions assigned to QWR families with heights equal to integer number of 5, 6 and 7 monolayers. From the comparison of the experimental and theoretical results the atomic concentration of phosphorus in the wires has been estimated.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/ 10.1088/1742-6596/210/1/012041
URIhttp://hdl.handle.net/10261/24386
DOI10.1088/1742-6596/210/1/012041
ISSN1742-6588
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
Donchev, V. et al J.of Phys. Conf. Ser._210_ 2010.pdf426,46 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo
 



NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.