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Título

Comportamiento de la reflectancia de fotodetectores InGaAs/InP en el IR cercano con luz polarizada y sin polarizar

AutorMuñoz Zurita, Ana Luz; Campos Acosta, Joaquín ; Gómez Jiménez, Ramón; Pons Aglio, Alicia ; Shcherbakov, Alexandre S.
Fecha de publicación2009
CitaciónProceedings del Congreso Nacional de Ingeniería Electrónica del Golfo CONAGOLFO 2009
ResumenLa reflectancia de un fotodiodo junto con su eficiencia cuántica interna determinan el valor de la responsividad espectral, característica radiométrica fundamental de estos dispositivos usados en la medida de radiación óptica. En este trabajo se presenta el montaje experimental y los resultados obtenidos al medir la reflectancia de fotodiodos de InGaAs/InP de los usados habitualmente en laboratorios nacionales, procedentes de tres fabricantes diferentes. Asimismo se estudia la variación de la reflectancia con el estado de polarización de la radiación incidente para ángulos pequeños. Los resultados obtenidos indican que algunos modelos poseen una estructura antirreflejante en su superficie sensible y que para ángulos menores que 7,4º, la reflectancia no cambia con el estado de polarización, dentro de la incertidumbre de las medidas.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/23148
Aparece en las colecciones: (IFA) Comunicaciones congresos
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